2023-12-021 - IONET - Transistors sinàptics iònics d'estat sòlid per a computació neuromòrfica

Una nova generació de transistors sinàptics d'òxid sòlid robustos i fiables per a aplicació en computació neuromòrfica que proporcionin l'estabilitat necessària, un baix consum d'energia i una temperatura de funcionament viable.

Contactes

MF

Marta FonrodonaCorporate Development and Technology Transfer Director
Institut de Recerca en Energia de Catalunya (IREC)

Codis de Gínjol

ACRÒNIM

IONET

2023-12-021

Oferta tecnològica principal

Nou material TE (Termoelèctric) d'alt rendiment, rendible i respectuós amb el medi ambient. Teixits flexibles fàcils de manejar amb nanotecnologia fets de microtubs de silici de paret fina.

CERCA i altres institucions públiques implicades

Propietat

Llista Centres CERCA

Altres Agents Públics

Disponibilitat i Estat

1-2 Recerca 3-4 PoC experimental 5 Prototip 6-7 MVP 8 Industrialització 9 Comercialització

MIN

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

MÀXIM

1-Primer llenç / 2-Anàlisi de mercat / 3-Primera validació

MIN

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

MÀXIM

1-Hipòtesi de mercat / 2-Mercat bàsic / 3-PoC / 4-Client objectiu / 5-Validació del client / 6-MVP llançable / 7-Feedback del client / 8-Producte-servei a escala / 9-Negoci sostenible

MIN

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

MÀXIM

Objectius dels ODS

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Dades de mercat

Problema: Hi ha una necessitat de transistors sinàptics estables i compatibles amb el Si en la computació neuromòrfica. Els EGT sinàptics ja han demostrat el potencial de ser una tecnologia líder en computació neuromòrfica, però actualment es basen en electròlits intrínsecament inestables i difícils d'integrar, com ara líquids iònics o polímers conductors de protons, que són òbviament sensibles a la humitat i la temperatura i presenten una mala compatibilitat amb els processos de fabricació de microelectrònica convencionals. Alternativament, conductors d'ions d'òxid robustos més convenients forcen un funcionament EGT a temperatures elevades no viables (per sobre de 200ºC). La solució: una xarxa neuronal artificial robusta i fiable basada en transistors sinàptics d'òxid que proporcionarà l'estabilitat necessària, un baix consum d'energia i una temperatura de funcionament viable.

650000000

32500000

7300000

Formació de spin-offs sense fàbrica

Hi ha una necessitat de transistors sinàptics estables i compatibles amb Si en la computació neuromòrfica.

Transistors de computació neuromòrfica

Àrea DeepTech

Finançament

Actualment, necessitem desenvolupar una xarxa neuronal basada en el nostre transistor sinàptic per demostrar la capacitat de la tecnologia en un entorn real.

Fons per desenvolupar la xarxa neuronal

Desenvolupament d'una xarxa neuronal basada en transistors sinàptics IONET Estudi de compatibilitat CMOS Demostració d'escalat

Estat de la tecnologia

Els transistors IONET són estables en temperatura, humitat i temps; operen en tot el rang de temperatures estàndard per a components electrònics; presenten una variació analògica molt lineal i simètrica de la conductància del canal; i són compatibles amb la tecnologia de fabricació microelectrònica convencional.

Les plantes CMOS dubten a l'hora d'introduir nous materials com els òxids a les seves sales blanques. El camp del maquinari d'IA està creixent ràpidament, cosa que provoca una escassetat de treballadors qualificats. La tecnologia innovadora pot espantar alguns usuaris finals que busquen productes ben establerts La tecnologia innovadora pot espantar alguns usuaris finals que busquen productes ben establerts

La tecnologia IONET està protegida amb una sol·licitud PCT (Ref: PCT/EP2022/066614) amb una avaluació ISR positiva. Ha entrat en fases nacionals a EP, US, CN, KO. Comunicació de la intenció de concedir la patent europea (20/02/2025)

Sol·licitud PCT (Ref: PCT/EP2022/066614) amb una avaluació ISR positiva. Ha entrat en fases nacionals a EP, US, CN, KO. Comunicació de la intenció de concedir la patent europea (20/02/2025)

Informació addicional

Una xarxa neuronal artificial robusta i fiable per a aplicacions d'intel·ligència artificial basada en transistors sinàptics d'òxid. La tecnologia es pot integrar en els processos de fabricació de semiconductors convencionals gràcies a la seva fàcil escalabilitat i compatibilitat amb la tecnologia CMOS.