Nuestra unidad produce películas mediante técnicas de deposición por láser pulsado y MOCVD, y colabora estrechamente con numerosos grupos de investigación del ICN2, así como con equipos externos. Una configuración PLD de dos láseres, recientemente desarrollada, permite la cooperación de dos blancos para la deposición de películas de gradiente de composición, así como nuevos materiales de composición mixta. Nuestra unidad realiza la caracterización estructural avanzada de películas delgadas, principalmente mediante difracción de rayos X, y trabaja en el desarrollo de métodos avanzados para la caracterización por difracción de rayos X de películas delgadas epitaxiales. Estos incluyen la difracción plana, el análisis GIXRD y el mapeo espacial recíproco 3D. Esta investigación de la microestructura se complementa con la caracterización por HRTEM. Nos interesan especialmente los fenómenos superficiales e interfaciales, como la cinética del intercambio de oxígeno. Para ello, hemos desarrollado una técnica de difracción de rayos X con resolución temporal que controla la sutil expansión química que se produce en películas delgadas de óxidos de metales de transición al modificarse su estequiometría de oxígeno. Nuestro objetivo es realizar la caracterización in situ y en operando mediante difracción de rayos X en diferentes dispositivos electroquímicos de estado sólido. Estos estudios también se han ampliado a estudios estructurales in situ de materiales de conmutación ferroeléctricos y resistivos, así como de materiales fotostrictivos. En 2019, continuamos trabajando en el desarrollo de un proceso de MOCVD de película delgada para el crecimiento de dicalcogenuros de metales de transición ultrafinos de alta calidad, comenzando con MoS₂, en colaboración con el grupo ICN2, dirigido por el Prof. José A. Garrido.

José Santiso |  jose.santiso@icn2.cat 

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Gustavo Ceballos | Jefe de la División de Apoyo a la Investigación – Unidad de Instrumentación |   gustavo.ceballos@icn2.cat  |   ORCID